氮化硼可制备半导体器件-天元新材  

作　　者：无 

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出　　处：《超硬材料工程》2021年第2期17-17,共1页Superhard Material Engineering

摘　　要：氮化硼可以应用在制备半导体元器件方面,这是日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(C-BN)的最新技术成果,他们成功地制造了世界上第一个能在650℃温度下稳定工作的P-N结型二极管。在此之前,硅半导体广泛用作电子器件材料,但在200℃以上时失效。因此试图研究一种可用于极高温度环境,如外层空间和核反应堆的新型高温半导体材料。

关 键 词：无机材料 半导体元器件 科学技术厅 半导体器件 立方氮化硼 硅半导体 最新技术成果 单晶体 

分 类 号：TB3[一般工业技术—材料科学与工程]