太阳能光电材料CuInSe_2的研究进展  

Progress in Research on CuInSe_2 Photovoltaic Materials

作　　者：张辉[1] 马向阳[1] 杨德仁[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《材料导报》2001年第5期11-13,共3页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(No.59976035);教育部优秀青年教师基金;教育部博士点基金资助

摘　　要：综述了太阳能光电材料CuInSe_2的研究历史和现状,主要讨论了CuInSe_2的光学性质、电学性质、及其掺杂对禁带宽度的影响,介绍了薄膜的制备方法特别是硒化法,最后综述了目前存在的问题及其发展趋势。This paper outlines the history and present status of CuInSe_2 photovohaic materials. It gives a re- view of the electrical properties,the optical properties and the effect of doping on the band gap. Furthermore, the syn thetic techniques of CuInSe_2 thin film,especially selenisations,is discussed. Finally,some existing problems and future directions are described.

关 键 词：光电材料 太阳能电池 制备方法 材料 铜 铟 硒 三元化合物半导体 硒化法 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动] TN304.26[电子电信—物理电子学]