三温区坩埚下降法生长硫镓银晶体  

Growth of AgGaS_2 Single Crystals by Descending Crucible Method with a Three-temperature-zone Furnace

作　　者：张伟[1] 朱世富[1] 赵北君[1] 刘敏文[1] 李一春[1] 

机构地区：[1]四川大学材料科学系,成都610064

出　　处：《人工晶体学报》2003年第4期324-328,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：四川省应用基础研究基金资助 (99- 479)

摘　　要：本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究 ,设计组装了三温区单晶炉 ,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2 单晶体 ,尺寸达10mm× 2 5mm。实验测定了AgGaS2 晶体的差热分析曲线和红外透射谱 ,以及单晶 { 112 }解理面的X射线衍射谱 ,结果表明生长晶体的质量较高。A new method with descending crucible in a three-temperature-zone furnace has been suggested for growing high quality AgGaS_2 single crystal. A crack-free AgGaS_2 single crystal with 10mm in diameter and 25mm in length was grown by the technique mentioned above. The results show the as-grown AgGaS_2 crystals have high guality from measured DTA curve,IR transmission spectrum and XRD spectra.

关 键 词：三温区 坩埚下降法 晶体生长 硫镓银 单晶体 三元化合物半导体 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] O78[理学—晶体学]