云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GE2SB2TE5薄膜

GE2SB2TE5薄膜: 作品数：13被引量：8H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：理学一般工业技术更多>>; 相关作者：干福熹侯立松阮昊潘石都健更多>>; 相关机构：中国科学院上海光学精密机械研究所北京工业大学大连理工大学复旦大学更多>>; 相关期刊：《光学学报》《金属功能材料》《Journal of Semiconductors》《稀有金属材料与工程》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金科技部基础研究重大项目前期研究专项国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金更多>>

通过衬板加热控制Ge2Sb2Te5热电薄膜的结构: 《金属功能材料》2018年第5期62-62,共1页; Athorn Vora-ud等人采用脉冲直流磁控管溅射法，以最佳等离子条件（脉冲频率和脉冲反向时间）制备Ge2Sb2Te5薄膜，系统地研究250-450℃温度范围内衬板温度对沉积薄膜微结构、形貌、原子组成、载流子浓度和移动性及塞贝克系数的影响。研...; 关键词：GE2SB2TE5薄膜热电薄膜加热控制内衬板微结构磁控管溅射法脉冲直流温度范围

钛掺杂对Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变特性的改善（英文）: 《红外与毫米波学报》2015年第6期658-662,共5页张颖魏慎金易歆雨程帅陈坤朱焕锋李晶吕磊; Supported by Natural Science Foundation of Shanghai(13ZR1402600);National Natural Science Foundation of China(60578047);the National"973"Program of China(2012CB934303,2009CB929201);Shanghai Commission of Science and Technology(06DJ14007);National"02"Project of China(2011ZX02402);Natural Science Foundation of Shandong Province(2011ZRFL019); 利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能...; 关键词：钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜相变特性热稳定性数据保持能力

Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变的内耗: 《上海交通大学学报》2010年第5期662-664,668,共4页胡大治薛若时吕笑梅朱劲松; 国家自然科学基金资助项目(90207027); 采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方相转变的温度范围内,出现...; 关键词：GE2SB2TE5薄膜相变内耗

沉积温度对Ge_2Sb_2Te_5溅射薄膜结构、电/光性质的影响(英文)被引量：1: 《稀有金属材料与工程》2010年第3期377-381,共5页孙华军侯立松缪向水吴谊群; National Basic Research Program of China (2007CB935402);Supported by the National Natural Science Foundation of China (50502036, 60644002); 在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min)。用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率...; 关键词：GE2SB2TE5薄膜沉积温度结构电/光性质

激光辐照引起Ge_2Sb_2Te_5非晶态薄膜的电/光性质变化被引量：1: 《无机材料学报》2008年第6期1111-1114,共4页孙华军侯立松吴谊群魏劲松; 国家重点基础研究发展计划(2007CB935402);国家自然科学基金(50502036;60644002); 研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级（10^7～10^3Ω/□）的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶...; 关键词：GE2SB2TE5薄膜激光辐照电/光性质光学常数相转变

Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变行为及其对光存储特性影响: 《大连理工大学学报》2007年第6期781-785,共5页张庆瑜都健潘石吴世法; 科技部重大基础研究前期研究专项资助项目(2004CCA03700); 采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为17nm的面心立方结构;250℃退火导致晶粒尺度约为40nm的密排六方相出现.研究了室温至...; 关键词：GE2SB2TE5薄膜射频磁控溅射相变光学特性激光辐照

生长温度对Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变行为以及微观结构的影响被引量：2: 《电子显微学报》2006年第4期328-332,共5页都健潘石吴世法张庆瑜; 科技部重大基础研究前期研究专项(批准号:2004CCA03700)资助项目; 采用射频磁控溅射方法，分别在玻璃和具有本征氧化层的Si（100）基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征，研究了不同生长温度（室温～300℃）的Ge2...; 关键词：GE2SB2TE5薄膜射频磁控溅射表面形貌薄膜反射率

Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学性能和短波长静态记录特性的研究: 《光子学报》2004年第8期978-981,共4页方铭李青会干福熹; 国家自然科学基金资助项目 (6 0 2 0 70 0 5 ); 利用直流磁控溅射制备了单层Ge2 Sb2 Te5薄膜 ,研究了薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的反射、透过光谱 ,计算了它的吸收系数 ,发现薄膜在 4 0 0～ 80 0nm波长范围内具有较强的吸收随着薄膜厚度的增加 ,相应的禁带宽度Eg 也随之增加对Ge2...; 关键词：GE2SB2TE5薄膜光存储反射率对比度光学性能

聚焦脉冲激光作用下Ge_2Sb_2Te_5薄膜晶化过程及机理: 《无机材料学报》2002年第6期1245-1252,共8页魏劲松阮昊干福熹; 国家自然科学基金(59832060); 采用聚焦脉冲激光研究了Ge2Sb2Te5薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge2Sb2Te5薄膜在晶化触发阶段...; 关键词：聚焦脉冲激光晶化过程 GE2SB2TE5薄膜过饱和度晶化机理相变光储存

激光致溅射沉积Ge_2Sb_2Te_5薄膜的结晶行为研究被引量：2: 《无机材料学报》2002年第3期637-640,共4页刘波阮昊干福熹; 国家自然科学基金(59832060); 利用ＸＲＤ研究了激光致溅射沉积Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的结晶行为;研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到ＦＣＣ晶态结构的转变,从ＦＣＣ到ＨＣＰ的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比．Ｇｅ２Ｓｂ２...; 关键词：激光致溅射沉积 GE2SB2TE5薄膜结晶行为激光致相变 X射线衍射面心立方光盘相变光存储材料

GE2SB2TE5薄膜