孙华军

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：华中科技大学更多>>
发文主题：微电子器件电极非易失性功能材料SUB更多>>
发文领域：自动化与计算机技术理学电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《材料科学与工程学报》《无机材料学报》《激光与光电子学进展》《稀有金属材料与工程》更多>>
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沉积温度对Ge_2Sb_2Te_5溅射薄膜结构、电/光性质的影响(英文)被引量：1
《稀有金属材料与工程》2010年第3期377-381,共5页孙华军 侯立松 缪向水 吴谊群 
National Basic Research Program of China (2007CB935402);Supported by the National Natural Science Foundation of China (50502036, 60644002)
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min)。用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率...
关键词：GE2SB2TE5薄膜 沉积温度 结构 电/光性质 
用于超分辨近场结构光盘存储的掩膜材料被引量：1
《材料科学与工程学报》2009年第2期288-291,270,共5页孙华军 侯立松 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB935402);国家自然科学基金资助项目(50502036;60644002)
超分辨近场结构(Super-RENS)光盘存储技术是近年研究的热点,而用作超分辨近场结构的掩膜材料是决定其性能的关键。本文总结了用于近场超分辨结构光盘存储的掩膜材料的最新研究成果,阐述了材料的工作原理和性能特点,展望了其发展趋势。
关键词：掩膜材料 光存储 SUPER-RENS 评述 
激光辐照引起Ge_2Sb_2Te_5非晶态薄膜的电/光性质变化被引量：1
《无机材料学报》2008年第6期1111-1114,共4页孙华军 侯立松 吴谊群 魏劲松 
国家重点基础研究发展计划(2007CB935402);国家自然科学基金(50502036;60644002)
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级（10^7～10^3Ω/□）的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶...
关键词：GE2SB2TE5薄膜 激光辐照 电/光性质 光学常数 相转变 
无机相变信息存储材料研究新进展被引量：1
《激光与光电子学进展》2008年第4期15-24,共10页孙华军 侯立松 魏劲松 吴谊群 
国家重点基础研究发展计划(2007CB935402);国家自然科学基金(50502036和60644002)资助项目
硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点。与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用。总结了近年来国内外在相变材料的...
关键词：相变材料 纳米结构 光龟存储 改性 
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