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作 者:鲍忠兴[1,2] 褚君浩[3] 柳翠霞[1] 刘克岳 王金义
机构地区:[1]中国科学院物理研究所 [2]中国科学院国际材料物理中心,辽宁沈阳110015 [3]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 [4]华北光电研究所
出 处:《高压物理学报》2000年第4期269-272,共4页Chinese Journal of High Pressure Physics
基 金:中国科学院红外物理国家重点实验室资助
摘 要:在金刚石压砧装置上 ,采用电阻和电容测量方法研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、17GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明 ,它在 3 1GPa左右和 5GPa左右发生了两次电子结构相变 ,而在 3 1GPa以上和 5 7GPa左右发生了两次晶体结构相变。同时 ,还在活塞 圆筒测量装置上研究了Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4 )在室温下、4 5GPa内的p V关系。实验结果表明它在3 8GPa左右发生了相变。本工作还给出了它在相变前后的状态方程 ,以及它的Gr櫣neisen参数γ0 、体弹模量B0 与B0 的压力导数B0 ′。Resistance-and capacitanc e -pressure relationships for Cd 1-xZn xTe(x=0.04) at ro om temperature and in the pressure range up to 17GPa were measured in a diamond anvil cell.Experimental results indicate that Cd 1- xZn xTe(x=0.04) undergoes two electronic structure transitio ns at about 3.1GPa and 5GPa,and two crystal structure transitions at above 3 .1GPa and about 5.7GPa.p-V relationship for Cd 1-xZn x Te(x=0.04) at room temperature and in the pressure range up to 4.5 GPa was also obtained using a piston-cylinder type device.Experimental results sh ow that a phase transition in Cd 1-xZn xTe(x=0.04) occu rs at about 3.8GPa.Its equations of state before and after the phase transition ,Grüneisen parameter γ 0,bulk modulus B 0 and the first order pre ssure derivative B 0′ of B 0 are also given.
关 键 词:电阻 电容 电学性质 状态方程 相变 高压 三元化合物半导体 体弹模量 Gruneisen参数
分 类 号:TN304.26[电子电信—物理电子学] O521.2[理学—高压高温物理]
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