衬底温度对氧化锌薄膜电学性质的影响  

Effect of the Electrical Properties of Zinc Oxide Thin Films from Substrate Temperature

作　　者：潘志峰[1] 袁一方[1] 李修善[2] 

机构地区：[1]上海理工大学光电学院 [2]曲阜师范大学生命科学学院,曲阜273165

出　　处：《光学与光电技术》2004年第5期11-13,共3页Optics & Optoelectronic Technology

基　　金：山东省教育厅科技发展基金资助项目(03C08)

摘　　要：氧化锌是一种性能良好的半导体材料,可以用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料。主要研究了用磁控溅射方法在不同衬底温度下生长ZnO薄膜的电学特性,分析了ZnO薄膜的电阻率和击穿场强随温度的变化关系。Zinc oxide thin films, a high-quality semiconductor material, can be used as a material of electrical transmission layer in negative electrode of the emission of thin films. The electrical properties of ZnO thin films under different substrate temperature by magnetron controlled sputtering are studied, and the relationship between the resistivity of ZnO thin films and the breakdown electric field with the changing of temperature is analysed.

关 键 词：氧化锌薄膜 电阻率 击穿场强 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]