纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术  

Several New Ion Beam Doping Technologies of Ultra-Shallow Junction for Nanometer CMOS Fabrication

作　　者：成立[1] 李春明[2] 王振宇[1] 祝俊[1] 

机构地区：[1]江苏大学电气与信息工程学院,江苏镇江212013 [2]南通工学院计算机科学系,江苏南通226001

出　　处：《半导体技术》2004年第9期30-34,44,共6页Semiconductor Technology

基　　金：江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)

摘　　要：综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。The plasma immersion ion implantation doping, the project-gas immersion laser doping,rapid vapor-phase doping and the ion shower doping are summarized. The strong and weak pointsand their application prospects of these new technologies are analysed and compared in details.

关 键 词：集成电路 纳米CMOS器件 超浅结离子掺杂 等离子体浸没掺杂 投射式气体浸入激光掺杂 离子淋浴掺杂 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]