纳米CMOS器件

作品数：11被引量：15H指数：2
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纳米CMOS器件中热载流子产生缺陷局域分布的表征
《物理学进展》2024年第2期96-101,共6页马丽娟 陶永春 
国家自然科学基金项目(12274232,12104232)的资助
本文针对纳米小尺寸CMOS器件,提出了一种根据表面势模型表征热载流子产生电荷陷阱和界面态局域分布的方法。热载流子注入(Hot Carrier Injectione,HCI)应力会在栅氧化层和Si/SiO_(2)界面中产生电荷陷阱和界面态,随着应力时间递增,这些...
关键词：CMOS器件 热载流子注入 界面态 电荷陷阱 
一种计算纳米CMOS器件中应力致界面态的方法
《淮阴师范学院学报（自然科学版）》2020年第2期128-132,共5页马丽娟 徐跃 
国家自然科学基金项目(61871231)。
在纳米CMOS器件中,负栅压温度不稳定性、热载流子注入效应和栅氧化层经时击穿等应力使得Si/SiO 2界面产生界面态,引起器件参数的退化.随着CMOS器件不断缩小,这种退化将严重制约器件性能.提出了一种改进的计算纳米CMOS器件中应力产生界...
关键词：CMOS器件 界面态 计算方法 
纳米CMOS器件中源/漏串联电阻栅长相关性研究
《电子测试》2020年第8期30-33,共4页马丽娟 李茹 
南京市“十三五”教育科学规划课题““3+4”分段模式下以培养计算思维能力为目标的C语言程序设计课程改革研究(L/2018/280)”;江苏省职业教育教学改革研究课题“职业学校STEAM课程促进学生创新能力培养研究(ZYB36)”。
本文利用恒定迁移率、直接Id-Vgs和Y函数三种方法对纳米CMOS器件中提取的源/漏串联电阻(Rsd)与器件栅长(L)相关性进行了研究。结果表明,采用恒迁移率方法得到的Rsd具有与栅长无关的特性,纳米小尺寸CMOS器件的Rsd值在14.3Ω~10.9Ω之间...
关键词：CMOS器件 源/漏串联电阻 栅长 相关性 
一种提取纳米CMOS器件中源/漏寄生电阻的恒定迁移率方法
《南京师大学报（自然科学版）》2018年第1期50-54,60,共6页鲁明亮 陶永春 
国家自然科学基金(10947005)
源/漏寄生电阻作为器件总电阻的一个重要组成部分,严重制约着纳米CMOS器件性能.随着纳米CMOS器件尺寸不断减小,源/漏寄生电阻占器件总电阻比例越来越高,已经成为衡量CMOS器件可靠性的一个重要参数.本文提出一种恒定沟道迁移率条件下提...
关键词：纳米CMOS器件 源/漏寄生电阻 提取方法 
适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究
《中国科学（E辑）》2008年第6期959-967,共9页黄如 田豫 周发龙 王润声 王逸群 张兴 
国家自然科学基金(批准号:60625403);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302701);韩国三星电子公司合作项目资助
随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MO...
关键词：纳米CMOS器件 双栅器件 围栅器件 
纳米CMOS图像传感器及其在航空航天中的应用
《微纳电子技术》2007年第11期989-993,共5页李芹 蔡理 吴刚 王森 
空军工程大学理学院科研资助项目(2005ZK19);陕西省自然科学基金项目(2005F20)
随着超大规模集成技术的飞速发展,CMOS图像传感器已成为研究开发的热点。简要介绍和分析了基于非平衡格林函数、维格纳函数与密度矩阵、单粒子薛定谔方程的三种纳米CMOS器件的输运模型,并指出了各种模型的优缺点和适用对象;针对纳米CMO...
关键词：纳米CMOS器件 图像传感器 电荷耦合器件 航空航天 
纳米器件的发展动态被引量：8
《微纳电子技术》2005年第8期345-349,共5页翁寿松 
介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,...
关键词：纳米器件 纳米CMOS器件 纳米电子器件 量子器件 
限散射角电子束光刻技术及其应用前景被引量：2
《半导体技术》2005年第6期18-22,共5页成立 赵倩 王振宇 祝俊 范木宏 刘合祥 
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一。本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等,并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势...
关键词：超大规模集成电路 纳米CMOS器件 电子束光刻 散射 技术优势 应用前景 
深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术
《半导体技术》2005年第1期35-40,共6页成立 王振宇 武小红 范木宏 祝俊 赵倩 
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及...
关键词：超大规模集成电路 纳米CMOS器件 离子束蚀刻 考夫曼离子源 电子回旋共振 电感耦合等离子体蚀刻器 
纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术被引量：5
《半导体技术》2004年第9期30-34,44,共6页成立 李春明 王振宇 祝俊 
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。
关键词：集成电路 纳米CMOS器件 超浅结离子掺杂 等离子体浸没掺杂 投射式气体浸入激光掺杂 离子淋浴掺杂 
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