周发龙

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：场效应晶体管沟道半导体存储器双栅闪存更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《电子学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究
《中国科学（E辑）》2008年第6期959-967,共9页黄如 田豫 周发龙 王润声 王逸群 张兴 
国家自然科学基金(批准号:60625403);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302701);韩国三星电子公司合作项目资助
随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MO...
关键词：纳米CMOS器件 双栅器件 围栅器件 
垂直沟道器件的研究与进展
《功能材料与器件学报》2003年第3期362-368,共7页刘金华 黄如 张兴 周发龙 
介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺,分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术,详细讨论了垂直沟道器件的性能,并分析了垂直沟道器件的优点以及存在的问题。
关键词：垂直沟道器件 硅台刻蚀 外延生长 MOSFET 研究进展 CMOS器件 
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