王逸群

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适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究
《中国科学（E辑）》2008年第6期959-967,共9页黄如 田豫 周发龙 王润声 王逸群 张兴 
国家自然科学基金(批准号:60625403);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302701);韩国三星电子公司合作项目资助
随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MO...
关键词：纳米CMOS器件 双栅器件 围栅器件 
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