一种低电荷注入误差的开关电流电路  

A Switched-Current Circuit with Low Charge Injection Error

作　　者：虞海燕[1] 林争辉[1] 张海飞[1] 

机构地区：[1]上海交通大学电子工程系,上海200030

出　　处：《微电子学》2004年第5期589-592,596,共5页Microelectronics

基　　金：国家863高科技研究计划资助项目(2002AAIZ1190)

摘　　要：　对限制开关电流电路(SI)精度的主要因素以及开关电荷注入误差等问题进行了详细的分析。在此基础上,提出了两种消除开关电荷注入误差的可能结构:在常电压开关(CVS)基础上的dummy开关结构和基于CVS的全差分结构。其主要思想是将与信号大小有关的电荷注入误差变为与信号无关的电荷注入误差。并以此为基础,采用dummy结构或全差分结构,进一步消除该误差。用0.35μm模型参数进行了HSPICE仿真,结果证明,该结构能很好地降低电荷注入误差,提高SI电路的精度。Two new switched-current(SI)memory cells are proposed, with which very low charge injection errors can be achieved. Both of the structures are based on constant voltage switch(CVS). The idea of CVS is to convert the signal-dependent charge injection error into signal-independent charge injection error, which can be eliminated by using a fully differential configuration or a dummy MOSFET independently. HSPICE simulation using 0.35 μm parameter model demonstrates that the proposed structure can improve the accuracy of the SI circuit by reducing charge injection errors.

关 键 词：开关电流电路 电荷注入误差 常电压开关 全差分结构 dummy管 

分 类 号：TN401[电子电信—微电子学与固体电子学]