虞海燕

作品数：2被引量：2H指数：1
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供职机构：上海交通大学电子信息与电气工程学院电子工程系更多>>
发文主题：高压集成电路开关电流电路电荷注入误差DUMMYMOS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《集成电路应用》更多>>
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半桥栅驱动600v高压驱动芯片设计
《集成电路应用》2005年第2期26-30,共5页邱环宇 虞海燕 林争辉 
本文描述一种可驱动功率MOSFET和IGBT600v高压集成电路,它采用B.C.D.技术,把控制电路、检测保护电路、高低压电平移位电路、输出缓冲电路等集成到一块芯片上。本文就其采用的高压工艺平台、电路原理及版图设计作了初步的研究和试制,并...
关键词：可驱动功率MOSFET IGBT 高压集成电路 PN结对通隔离技术 半桥栅驱动 B.C.D.技术 
一种低电荷注入误差的开关电流电路被引量：2
《微电子学》2004年第5期589-592,596,共5页虞海燕 林争辉 张海飞 
国家863高科技研究计划资助项目(2002AAIZ1190)
　对限制开关电流电路(SI)精度的主要因素以及开关电荷注入误差等问题进行了详细的分析。在此基础上,提出了两种消除开关电荷注入误差的可能结构:在常电压开关(CVS)基础上的dummy开关结构和基于CVS的全差分结构。其主要思想是将与信号...
关键词：开关电流电路 电荷注入误差 常电压开关 全差分结构 dummy管 
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