半桥栅驱动600v高压驱动芯片设计  

作　　者：邱环宇[1] 虞海燕[1] 林争辉[1] 

机构地区：[1]上海交通大学电子工程系,上海200030

出　　处：《集成电路应用》2005年第2期26-30,共5页Application of IC

摘　　要：本文描述一种可驱动功率MOSFET和IGBT600v高压集成电路,它采用B.C.D.技术,把控制电路、检测保护电路、高低压电平移位电路、输出缓冲电路等集成到一块芯片上。本文就其采用的高压工艺平台、电路原理及版图设计作了初步的研究和试制,并对研制的初步结果进行了分析讨论。

关 键 词：可驱动功率MOSFET IGBT 高压集成电路 PN结对通隔离技术 半桥栅驱动 B.C.D.技术 

分 类 号：TN492[电子电信—微电子学与固体电子学] TN386