热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度  

Method of Thermal Oxidation for Minimizing Surface Roughness of Dry Etched Silicon Waveguide

作　　者：陈媛媛[1] 夏金松[1] 樊中朝[1] 余金中[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第11期1544-1548,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :698962 60;60 3 3 60 10 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 60 )资助项目~~

摘　　要：提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量 .通过 Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析 .用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较 .实验中将硅波导的表面粗糙度由6 5 .4 nm降低到了 8.8nm.Presented is a method of thermal oxidation for minimizing surface roughness of silicon waveguide by dry etching processes.The model of oxidation is analyzed by SUPREM two-dimensional simulation.Experimental result is compared with simulation result and the method is validated.Surface roughness of silicon waveguide is reduced from 65.4nm to 8.8nm in the experiment.Oxidation by several times is discussed.

关 键 词：热氧化 光波导 表面粗糙度 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理]