考虑源漏串联电阻时6H-SiC PMOSFET解析模型  

Analytical Model Aimed at Source/Drain Series Resistance for 6H-SiC PMOSFET

作　　者：郜锦侠[1] 张义门[1] 张玉明[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第10期1296-1300,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 760 47)~~

摘　　要：在考虑源漏串联电阻的基础上 ,建立了一组适用于 Si C PMOSFET的解析模型 .A new model aimed at the source/drain series res is tances is presented for SiC PMOSFET.The calculated results are well corresponden t with the measured results.

关 键 词：6H—SiC PMOSFET 源漏串联电阻 解析模型 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]