SOI热光调制器  

SOI Thermo-Optic Modulator

作　　者：王章涛[1] 樊中朝[1] 夏金松[1] 陈少武[1] 余金中[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第10期1315-1318,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :69990 5 40 ) ;国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 60 );国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 66)资助项目~~

摘　　要：设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器 .通过合理选择 SOI光波导的埋层和包层的厚度 ,使制作出的调制器有良好的综合性能 .调制器调制深度为 91% ,功耗为 0 .35 W,调制速度约为 2 7μs.SOI based MMI-MZI thermo-optic modulator is des ig ned and fabricated.The modulator fabricated has excellent performance by the opt imization on the thickness of buried and upper cladding layer in SOI waveguide.T he modulator has 91% of modulation depth and 0.35W of power consumption.The mod ulation speed is about 27μs.Decrease in the design errors of the multimode wave guides and enhancement of etching uniformity can improve the characteristics of the thermo-optic modulator.

关 键 词：SOI 多模干涉耦合器 调制器 

分 类 号：TN76[电子电信—电路与系统]