RTD多值逻辑电路原理与电路模拟  

Simulation of RTD multiple valued logic circuit

作　　者：刘宏伟[1] 牛萍娟[1] 郭维廉[1] 

机构地区：[1]天津工业大学信息与通信工程学院,天津300160

出　　处：《微纳电子技术》2004年第11期12-16,共5页Micronanoelectronic Technology

基　　金：天津市高等学校科技发展基金资助项目(20020711)

摘　　要：由共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)构成的多值逻辑(MVL)电路可以用最少的器件来完成一定的逻辑功能,达到大大简化电路的目的。共振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管属于量子器件,具有高频高速的特点,所以这一逻辑电路有很好的应用前景。本文就多值逻辑电路中的几个典型电路用Pspice软件进行电路模拟,得到了与理论分析一致的模拟结果。The multiple valued logic(MVL)circuits,which composed by resonant tunneling diodes(RTD)and high electron mobility transistors(HEMT),can complete definite logic functions with less devices. So the MVL circuits are simplified. On the other hand,the RTD and HEMT are quantum devices with advantages of high frequency and high speed. Above all,the RTD circuits have a great potential for future application. In this paper,several typical MVL circuits are simulated with Pspice and the results are in agreement with theoretical analysis.

关 键 词：多值逻辑电路 电路模拟 高电子迁移率晶体管 共振隧穿二极管 HEMT RTD PSPICE软件 逻辑功能 高频 器件 

分 类 号：TN312.2[电子电信—物理电子学] TN791