高比容铝电极箔制造技术及其机理研究  

作　　者：冯哲圣[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054

出　　处：《材料导报》2004年第10期72-72,共1页Materials Reports

摘　　要：高比容铝电极箔制造技术是实现铝电解电容器小型化的关键技术,本论文从提高铝电极箔电蚀扩面倍率及提高介质膜介电常数两个不同角度出发,对低压铝电极箔增容技术的机理及相关工艺进行了详细研究,大幅度地提高了国产铝电极箔比容水平,所取得的主要结论及创新性的结果如下: (1)提出了高纯铝在腐蚀性介质体系中发生点蚀时,蚀核萌生机制和蚀孔生长机制研究了高纯铝在不同腐蚀介质中点蚀萌生时的恒电位电化学电流噪声,结果表明:蚀核的萌生主要来自于高纯铝表面膜结构内部与表面的活性点;这些活性点主要与高纯铝表面膜结构与电化学条件相关,而与溶液组成并无直接关系;蚀核的萌生是高纯铝表面膜结构中活性点与侵蚀性离子的相互作用的结果。活性点能否萌生为蚀核受溶液中侵蚀性离子的攻击作用与缓蚀性离子的保护作用共同影响,因此也受溶液组成的影响;Cl^-浓度的增加可提高蚀核的萌生几率,而SO_4^(2-)离子的加入则大幅度降低了高纯铝在含Cl^-溶液中蚀核萌生几率。 (2)对高纯铝交流腐蚀机理进行了研究,首次提出了Cl^-氧空位输运侵蚀机制,以及SO_4^(2-)氧空位缓蚀作用机制采用三角波动电位扫描法研究了高纯铝交流腐蚀机理,提出了Cl^-通过存在于侵蚀膜内微晶晶界上的氧空位输运,从而对铝基体进行侵蚀的机制。并利用上述机制对相关实验现象进行了解释。对SO_4^(2-)在铝电极箔电蚀扩面工程中缓蚀作用机理进行了研究,指出SO_4^(2-)的独特缓蚀作用为:在点蚀萌生时,通过氧空位阻断机制阻止蚀孔萌生,但一旦蚀孔生成,促进蚀孔迅速增大,同时蚀孔内发孔数量增加。因此一定量SO_4^(2-)的添加有利于铝电极箔海绵层结构的生成。 (3)建立了YF基元生长模型对铝电极箔理论扩面倍率进行了计算针对已有的铝电极箔理论扩面倍率计算模型不�

关 键 词：铝电极 增容技术 比容 高铝 中低压 研究 过磷酸 高纯铝 萌生 缓蚀作用 

分 类 号：TB852.1[一般工业技术—摄影技术] TG174[金属学及工艺—金属表面处理]