GaAsMESFET击穿特性的研究现状与进展  

The Status and Developments of Breakdown Characteristics of GaAs MESFET

作　　者：李亚丽[1] 杨瑞霞[1] 李晓光[1] 陈宏江[1] 

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院,天津300130

出　　处：《河北工业大学学报》2004年第6期35-40,共6页Journal of Hebei University of Technology

基　　金：武器装备预研项目资助(51432020103QT4501)河北省自然科学基金资助项目(F2004000078)

摘　　要：栅漏击穿是限制GaAsMESFET输出功率并影响其可靠性的最主要因素之一,本文就改善GaAsMESFET击穿特性所进行的研究做了综述介绍,其中包括改变器件结构,采用新型材料和钝化等方法.The gate-drain breakdown of a GaAsMESFET is one of the most important factors limiting its maximum output power and affecting its reliability.This paper describes the research for improving the breakdown characteristics of GaAsMESFET from changing the device structure, adopting the new material and passivating.

关 键 词：功率GaAsMESFET 击穿电压 低温砷化镓 镓铟磷 钝化 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]