用红外光散射形貌术研究在三种不同勾形磁场中生长的CZ Si中的缺陷  

作　　者：邓志杰 

出　　处：《现代材料动态》2000年第10期18-18,共1页Information of Advanced Materials

关 键 词：日本学习院大学 红外光散射形貌术 勾形磁场 CZ SI单晶 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]