SI单晶

作品数：29被引量：24H指数：3
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有机分子PTCDA在P型Si单晶(100)晶面的生长机理
《发光学报》2018年第6期790-794,共5页张旭 张杰 张福甲 
国家自然科学基金(60676033;60276026);甘肃省自然科学基金(145RJZA071)资助项目~~
对PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析,并讨论了晶面指数(100)Si单晶的晶格结构。在此基础上,评述了PTCDA分子在P-Si单晶(100)晶面上生长的机理,并制备了样品PTCDA/P-Si(100)。利用XRD对样品测试得出,在P-Si(100)晶面上沉积的PT...
关键词：有机半导体材料PTCDA P-Si(100)晶面 生长机理 
Si晶片激光标识码制作技术的研究被引量：1
《激光与红外》2015年第4期349-352,共4页李悦 
Si片标识码在工艺加工管理中起重要作用。传统手写方式存在字体不美观、划痕深及硅渣污染等缺点。鉴于此,采用波长1060 nm光纤激光器进行激光标识码制作。研究中分别改变激光平均输出功率、脉冲频率及扫描速度,借助目视、金相显微镜及...
关键词：光纤激光器 激光打标 清晰度 硅渣污染 打标深度 SI单晶 
直径52～65mm探测器级Si单晶的真空制备
《光电子．激光》2013年第12期2301-2307,共7页蒋娜 万金平 
科研院所技术开发研究专项基金(2010EG115068;2012EG115014)资助项目
为了制备纯度11N以上、直径φ大于45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径超高纯单晶Si材料，本文在真空气氛下提纯并生长垂52～65mm探测器级区熔（FZ，float zone）Si单晶，并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高...
关键词：区熔(FZ) 真空 大直径 探测器级 SI单晶 断面电阻率不均匀率 漩涡缺陷 
过冷度对重掺B直拉Si单晶中小角晶界的影响被引量：3
《半导体技术》2011年第5期373-377,392,共6页王飞尧 孙新利 饶伟星 何国君 王伟棱 
小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的方法。...
关键词：小角晶界 过冷度 硅单晶 重掺硼 掺杂浓度 
密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究被引量：1
《半导体技术》2011年第2期136-139,共4页刘锋 韩焕鹏 李丹 王世援 吴磊 周传月 莫宇 
在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻〈111〉晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对〈111〉晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面...
关键词：硅单晶 〈111〉晶向 直拉法 高晶转 密闭式热场 
无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错被引量：1
《半导体技术》2010年第8期787-790,共4页刘云霞 周旗钢 孙燕 石宇 曹孜 李惠 
国家02重大科技专项项目(2008ZX02401)
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无C...
关键词：氧化诱生层错 无铬腐蚀液 硅单晶 检测 抛光片 
真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命被引量：6
《半导体技术》2008年第11期1003-1006,共4页闫萍 张殿朝 庞丙远 索开南 
通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶生长相比,在真空环境下采用较低的晶...
关键词：高阻硅单晶 微缺陷 少子寿命 
真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
《半导体技术》2008年第S1期284-286,共3页索开南 闫萍 张殿朝 庞炳远 刘燕 董军恒 
介绍了生长电阻率1×104～2×104Ω.cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～40mm的低寿命区,之后随...
关键词：真空 区熔 少子寿命 漩涡 位错 
机械振动对直拉法Si单晶生长的影响被引量：4
《半导体技术》2008年第4期304-307,共4页李巨晓 庄力 
机械振动是直拉法单晶生长过程中不可避免的因素,影响单晶的正常生长。从生长机理方面看,传递到熔体的振动会引起熔体内对流的变化,对固-液界面的稳定性造成干扰,从而影响单晶的品质和无位错生长;从操作控制方面而言,熔体的振动会使引...
关键词：直拉法 硅单晶 振动 
SiHCl_3-H_2气相外延生长Si单晶反应机理的理论研究被引量：2
《高等学校化学学报》2006年第9期1695-1698,共4页孙仁安 张旭 韩克利 
吉林大学理论化学计算国家重点实验室资助;辽宁省教育委员会基金(批准号:990321076)资助
采用密度泛函理论计算方法,在B3LYP/6-311G*水平下,计算并得到了SiHCl3与H2反应各反应通道上各驻点的构型、振动频率和能量.结果表明,在气相中SiHCl3分解的通道d和SiHCl3与H2反应的通道c为竞争反应,但其均未还原出Si原子,只有衬底Si参与...
关键词：密度泛函理论 过渡态 反应机理 速率常数 
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