王世援

作品数：4被引量：7H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：硅单晶碳碳复合材料掺磷硅单晶生长更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子工业专用设备》《天津科技》更多>>
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提高MEMS用超薄硅片厚度测量质量的研究
《电子工业专用设备》2019年第1期41-44,共4页王世援 
从常用MEMS器件用硅片对厚度测试要求的角度出发,分析了厚度测试设备-晶片厚度测试系统在测试MEMS用超薄高精度硅片时引发测量不确定度的主要来源,并对各来源引起的不确定度分量大小进行了计算。结果表明,测试用的校准厚度样片是影响整...
关键词：校准样片 厚度 不确定度 局部厚度变化 
碳/碳复合材料应用于直拉硅单晶生长的研究被引量：4
《电子工业专用设备》2011年第4期29-33,共5页王世援 韩焕鹏 刘锋 
介绍了热系统在直拉硅单晶中的作用,对比了石墨与碳/碳复合材料的生产过程和性能特点与差异。通过在单晶炉上的实验应用,证明了碳/碳复合材料比石墨材料具有更好的实际应用效果,在直拉硅单晶领域具有很好的应用潜力。分析了碳/碳复合材...
关键词：碳/碳复合材料 直拉单晶炉 热系统保温装置 
密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究被引量：1
《半导体技术》2011年第2期136-139,共4页刘锋 韩焕鹏 李丹 王世援 吴磊 周传月 莫宇 
在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻〈111〉晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对〈111〉晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面...
关键词：硅单晶 〈111〉晶向 直拉法 高晶转 密闭式热场 
重掺磷硅单晶生长技术研究被引量：2
《天津科技》2009年第6期6-8,共3页刘锋 韩焕鹏 李丹 王富田 李方 王世援 
在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸<111>晶向、电阻率1.0×10-3～1.8×10-3Ω·cm的重掺磷硅单晶。对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及位错与微缺陷的产生机理进行了探讨。
关键词：硅单晶 重掺磷 位错 FPD缺陷 
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