重掺磷硅单晶生长技术研究  

作　　者：刘锋[1] 韩焕鹏[1] 李丹[1] 王富田[1] 李方[1] 王世援[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《天津科技》2009年第6期6-8,共3页Tianjin Science & Technology

摘　　要：在国产TDR-62硅单晶炉上,采用10英寸和12英寸热系统开展了重掺磷硅单晶生长研究,生长出了4英寸<111>晶向、电阻率1.0×10-3～1.8×10-3Ω·cm的重掺磷硅单晶。对重掺磷硅单晶的磷掺杂和电阻率控制技术及位错与微缺陷的产生机理进行了探讨。

关 键 词：硅单晶 重掺磷 位错 FPD缺陷 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] O613.71[理学—无机化学]