GaAs霍尔元件不等位电势的调制消除  

Offset reduction of GaAs Hall plate

作　　者：冯明[1] 夏冠群[1] 胡少坚[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所

出　　处：《功能材料与器件学报》2004年第4期455-458,共4页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：上海汽车工业发展基金会项目

摘　　要：测试了MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能。对设计出的GaAs集成霍尔元件进行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对GaAs方形霍尔元件的不等位电势进行了静态和动态调制消除。实验结果表明GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制在可以忽略的范围内。The performance of a cross -shaped Hall plate fabricated by the GaAs MESF ET processing was tested.The voltage offsets of a s quare Hall plate was tested,the para llel Hall plates and continuous spinning current method was used to g et static and dynamic quadrature off set cancellation for the Hall sensor.The experiment proves that t he voltage offsets can be controlled and reduced into an ignorable range.

关 键 词：霍尔效应 磁传感器 不等位电势 

分 类 号：TN382[电子电信—物理电子学]