不等位电势

作品数：9被引量：24H指数：3
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相关作者：王美丽王世康曲东升谢筑森胡少坚更多>>
相关机构：西安航空技术高等专科学校哈尔滨工业大学胜利油田师范专科学校空军工程学院更多>>
相关期刊：《山西电子技术》《内蒙古农业大学学报（自然科学版）》《传感技术学报》《大学物理实验》更多>>
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霍尔效应测量中的不等位热扩散电势差被引量：1
《物理与工程》2023年第1期83-87,共5页李潮锐 
国家自然科学基金(61975244);中山大学2022年度教学质量与教学改革工程项目(教务[2022]91号)。
尽管常规换向直流法可消除已知副效应干扰并得到霍尔电压,但它掩盖了存在未知附加电势的实验事实。将4次换向测量归纳为磁场与样品电流同相组合和反相组合,根据在磁场中样品电流和热扩散电流具有相似物理行为,必须考虑不等位热扩散电势...
关键词：霍尔效应 副效应 不等位电势 热扩散电流 
霍尔式传感器的不等位电势补偿探讨
《大学物理实验》2012年第3期58-59,共2页李健 
华北电力大学教改项目
不等位电势是霍尔式传感器产生零位误差的主要因素。在霍尔式传感器的直流激励特性实验中霍尔元件处于梯度磁场中,但是磁场强度未知,因此无法确定磁场强度为零的位置。当采用交流激励时,通过调节霍尔元件在磁场中的位置,使输出的最小电...
关键词：霍尔传感器 不等位电势 补偿桥路 
霍尔传感器的应用探讨被引量：10
《山西电子技术》2010年第4期84-86,共3页王美丽 
简要介绍了霍尔元件的基本应用,对霍尔元件的选用原则进行了探讨,对霍尔元件实际应用过程所用到的典型放大电路进行了较为详尽的描述;还探讨了霍尔元件技术指标不等位电势的测量方法,并对霍尔元件直流激励情况下位移测量的方法进行了讨...
关键词：霍尔传感器 不等位电势 位移测量 
纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究被引量：1
《传感技术学报》2010年第3期363-366,共4页赵晓锋 温殿忠 
国家自然科学基金项目资助(60676044);黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室项目资助(DZZD20100013);黑龙江省教育厅科学技术研究项目资助(11521215)
采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO,不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压VGS,调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明,...
关键词：纳米硅/单晶硅异质结MAGFET 磁传感器 不等位电势 磁灵敏度 
霍尔效应测量中的系统误差及其处理
《内蒙古农业大学学报（自然科学版）》2008年第1期211-214,共4页么强 赵保利 
本文对霍尔效应测量中的热能流引起的不等位电势误差提出了自己的见解,然后着重研究消除系统误差的方法,并对实验结果进行了评述。
关键词：霍尔效应 系统误差 磁场 不等位电势 热能流 
GaAs霍尔元件不等位电势的调制消除被引量：4
《功能材料与器件学报》2004年第4期455-458,共4页冯明 夏冠群 胡少坚 
上海汽车工业发展基金会项目
测试了MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能。对设计出的GaAs集成霍尔元件进行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对GaAs方形霍尔元件的不等位电势进行了静态和动态调制消除。实验结果表明GaAs霍尔元件的不等位...
关键词：霍尔效应 磁传感器 不等位电势 
采用调制方法消除霍尔元件不等位电势被引量：4
《电测与仪表》1999年第6期16-18,21,共4页谢筑森 曲东升 
当采用正弦激励时，考虑到分布参数的影响，霍尔元件可等效为不平衡交流电桥。本文证明了交流电桥激励端子与输出端子互换前后，输出的不平衡电压相等，由此进而导出采用调制的方法可以从根本上消除霍尔元件不等位电势，并用此方法设计...
关键词：霍尔元件 不等位电势 调制 弱磁测量 
霍尔元件的特点及应用被引量：3
《中国石油大学胜利学院学报》1998年第4期19-21,共3页王世康 
结合普通物理教学中霍尔效应的讲解,阐述霍尔元件的原理、特性及补偿,着重介绍霍尔元件在传感器中的应用。
关键词：霍尔效应 霍尔元件 不等位电势 温度补偿 传感器 
霍尔元件不等位电势误差补偿方法探讨被引量：2
《仪器仪表与分析监测》1992年第2期11-13,24,共4页陈兴哲 
前言霍尔元件的用途,随着技术的发展应用越来越广泛,在测量交流电流和直流电流、磁感应强度B、微型开关、霍尔磁头、压力、转速、位移和位置等方面都有着广泛的应用。但是它存在两项主要误差:一是不等位电势,另一是温度误差。减小温度...
关键词：霍尔元件 电势 误差 补偿 
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