Fe_2O_3掩膜的制备研究  

作　　者：刘瑞兰[1] 杜长英 

机构地区：[1]山东师范大学半导体研究所,济南250014 [2]山东师范大学化工厂,济南250014

出　　处：《山东师范大学学报（自然科学版）》1993年第2期88-91,共4页Journal of Shandong Normal University(Natural Science)

摘　　要：在制造半导体器件和集成电路时,为确定衬底材料上的图形,必须使用掩膜版。现有的掩膜材料主要有乳胶膜和铬膜。乳胶膜耐磨性差、易沾污且分辨率低;铬膜虽有较好的耐磨性,但铬作为一种金属反光很强,导致图形分辨率降低。另一方面,这两种膜都不透明,光刻时图形难以套准。Fe2O3膜是一种优良的掩膜材料,它具有很强的耐磨性和很高的分辨率,针孔少、透明、光刻时图形易对准。

关 键 词：掩膜 氧化铁 制备 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]