808nm大功率准连续LD阵列  

808 nm QCW High Power LD Arrays

作　　者：刘刚明[1] 武斌[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》2004年第6期454-455,458,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：　采用单量子阱光电分别限制异质结(InGaAsP/GaAs)结构,研制了一种电致冷的大功率准连续激光器阵列,对器件的几个主要参数进行了理论分析。实验结果表明,器件峰值波长为807.6nm,光谱半宽为3nm,工作电流为98.7A时,输出功率达到1000W(10个Bar,占空比为2%)。A QCW SQW-SCH semiconductor laser with thermoelectric cooler is developed. Analysis is made on some critical factors affecting the performances of the laser. The experimental results show that the output power attains to 1 000 W(2% duty cycle) for FWHM<3 nm at the driving current of 98.7 A and the laser peak wavelength of 807.6 nm.

关 键 词：半导体激光器阵列 单量子阱分别限制 大功率 准连续 

分 类 号：TN365[电子电信—物理电子学]