武斌

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供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
发文主题：大功率超辐射发光二极管LD阵列SLD半导体激光器阵列更多>>
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1.3μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究
《半导体光电》2007年第3期354-356,共3页吴天伟 武斌 
量子阱结构超辐射发光二极管(SLD)具有良好的温度特性和一致性。简要介绍了一种1.3μm量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介绍。通过一系列的实验,确定出一个在现有条件下一次光刻的最佳工艺条件。
关键词：超辐射发光二极管 量子阱 光刻 
808nm大功率准连续LD阵列
《半导体光电》2004年第6期454-455,458,共3页刘刚明 武斌 
　采用单量子阱光电分别限制异质结(InGaAsP/GaAs)结构,研制了一种电致冷的大功率准连续激光器阵列,对器件的几个主要参数进行了理论分析。实验结果表明,器件峰值波长为807.6nm,光谱半宽为3nm,工作电流为98.7A时,输出功率达到1000W(10个...
关键词：半导体激光器阵列 单量子阱分别限制 大功率 准连续 
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