1.3μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究  

Study on Photolithographic Processing for 1.3μm Quantum-well SLD

作　　者：吴天伟[1] 武斌[1] 

机构地区：[1]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》2007年第3期354-356,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：量子阱结构超辐射发光二极管(SLD)具有良好的温度特性和一致性。简要介绍了一种1.3μm量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介绍。通过一系列的实验,确定出一个在现有条件下一次光刻的最佳工艺条件。diode（SLD） are The temperature performance and stability of quantum-well super luminescent better than those of normal SLD. One epitaxy structure of the 1.3μm quantumwell SLD and its photolithography processing are introduced. Optimal conditions for the present photolithographic processing are obtained by a series of experiments at present condition.

关 键 词：超辐射发光二极管 量子阱 光刻 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]