Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化  

AC Performance Analysis and Structure Optimization of Ultra-Thin Body SOI MOSFET’s

作　　者：田豫[1] 黄如[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期120-125,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4);国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 0 0 3 65 0 1)资助项目~~

摘　　要：针对沟道长度为 5 0nm的UTBSOI器件进行了交流模拟工作 ,利用器件主要的性能参数 ,详细分析了UTB结构的交流特性 .通过分析UTBSOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响 ,对器件结构进行了优化 .最终针对UTBSOIMOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法 ,从而实现了结构参数的优化选取 。A simulation-based analysis of 50nm UTB MOSFET’s,emphasizing on the AC performance in UTB SOI MOSFET’s,is described.Aiming at the excellent DC and AC characteristics,small signal characteristics of the device are investigated in comparison with different geometric parameters and physical parameters.A method to alleviate the conflict between power and speed in allusion to UTB SOI MOSFET’s,with different influence of various parameters on device AC characteristics,is proposed.It is beneficial to wider the application fields of UTB SOI MOSFET by optimizing geometric and physical parameters.

关 键 词：UTB MOSFET 交流特性 模拟 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]