基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺  

Process of Etched-Grating Demultiplexer Based on Silicon-on-Insulator

作　　者：王文辉[1] 唐衍哲[2] 戈肖鸿[1] 吴亚明[1] 杨建义[1] 王跃林[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,上海200050 [2]浙江大学信息与电子工程学系,杭州310027

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期138-142,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :G19990 3 3 10 4)~~

摘　　要：研究了基于绝缘材料上的硅 (SOI)材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺 .利用电感耦合等离子体刻蚀 (ICP)技术 ,在SOI材料上制作了垂直度大于 89°的光滑的光栅槽面 .氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度 (RMS)有 3nm的改善 ,达到 7 2 7nm(采样面积 6 2 μm× 2 6 μm) .通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使 1× 4分波器的器件尺寸仅为 2 0mm× 2 5mm .The fabrication process of a compact planar waveguide etched-grating(EDG) demultiplexer based on silicon-on-insulator(SOI) is studied.The etched grating is fabricated by inductively-coupled-plasma(ICP) etching technique.The verticality of the facet is better than 89°.Surface roughness of the etched sidewall of 7.27nm (sample area:6.2μm×26μm) is achieved after the surface is polished by oxidation.The chip size of the 1×4 EDG demultiplexer is minimized to only 20mm×2.5mm using integrated waveguide turning mirror to replace curved waveguides.Preliminary experimental results shows that the function of wavelength demultiplexing has been realized.

关 键 词：刻蚀光栅 波导镜 电感耦合等离子体刻蚀 绝缘材料上的硅 分波器 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学]