纳米硅量子点的自组织形成及其量子效应  

作　　者：高文秀[1] 刘继伟[1] 高鹏[1] 郭先清[1] 

机构地区：[1]厦门大学纳米科技中心，福建厦门361005

出　　处：《纳米科技》2004年第6期23-26,共4页

摘　　要：用减压气相淀积法(LPCVD)，在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(10^11cm^-2)纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点)，并进一步利用自组织生成的硅量子形成具有悬浮栅极的MOS单元，验证了硅量子点的量子效应。

关 键 词：LPCVD 自组织形成 悬浮栅极 MOS单元 纳米硅量子点 量子效应 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]