Bi2212体系的层间耦合对临界电流密度的影响  

THE EFFECT OF INTERLAYER COUPLING ON CRITICAL CURRENT DENSITY IN Bi2212 SYSTEM

作　　者：冯双久[1,2] 陈春霞[2] 李广[2] 李晓光[2] 

机构地区：[1]安徽大学物理与材料科学学院,合肥230039 [2]中国科技大学合肥微尺度物质科学国家实验室,材料科学与工程系,合肥230026

出　　处：《低温物理学报》2005年第1期32-36,共5页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家自然科学基金 (项目编号 :5 0 0 72 0 10 );国家重点基础研究发展规划项目 (项目编号 :NKBRSF G19990 6 4 6 0 3)资助的课题 .~~

摘　　要：通过对具有不同层间耦合强度的Bi2 2 12单晶样品的磁滞回线的测量 ,得到了样品的临界电流密度Jc 随层间耦合强度和磁场的变化关系 .实验结果显示 ,样品的层间耦合减弱 ,Jc明显减小 .同时发现Jc 与磁场间存在Jc ∝exp(-Hα)关系 ,进一步分析表明 ,Jc 的这种磁场依赖关系是对数钉扎势垒模型的必然结果 .The dependences of critical current density J\-c on the interlayer coupling strength and magnetic field in Bi2212 crystals were obtained by measuring the magnetic loop of the crystals with different interlayer coupling strength. It is revealed that J\-c decreases with decreasing of the interlayer coupling in the crystals. The relation of J\-c∝ exp (-H\+α) is also found in the crystals, and further analysis indicated that it is the results of Zeldov pinning potential model.

关 键 词：耦合强度 磁场 变化关系 对数 磁滞回线 临界电流密度 势垒 钉扎 单晶 测量 

分 类 号：O511[理学—低温物理]