英飞凌在IEDM展示新型穿隧式场效应晶体管  

出　　处：《变频器世界》2005年第1期33-33,共1页The World of Inverters

摘　　要：2004年12月13-15日，在美国旧金山举行的2004年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，英飞凌科技公司(Infineon Technologies)的科学家宣读了几份论文，展示了他们取得的成果。英飞凌和德国慕尼黑科技大学共同提出了一种适用于制造低压数字和模拟电路的可伸缩性晶体管概念。现在，人们终于可以将互补穿隧式场效应晶体管(TFET)用于标准硅工艺，制造出具备出色静态和动态性能的芯片。

关 键 词：穿隧式场效应晶体管 数字电路 模拟电路 可伸缩性晶体管 英飞凌科技公司 IEDM 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TN32