全方位离子注入技术  

ALL ORIENTATION ION IMPLANTATION

作　　者：郭华聪[1] 

机构地区：[1]四川大学原子核科学技术研究所,成都610064

出　　处：《微细加工技术》1993年第3期17-22,共6页Microfabrication Technology

摘　　要：等离子体离子注入(PII)是一种用于材料表面改性的新型离子注入技术。PII分为两类,用于金属表面改性时称为等离子体源离子注入技术(PSII),用于半导体材料表面改性时称为等离子体浸没离子注入(PIII)。本文介绍一种新的PII技术,称为全方位离子注入(All Orientation Ion Implantation),采用横磁瓶电子迴旋共振等离子体源,样品上的负高压可以是直流、交流或脉冲方式,本装置可以工作在离子注入和动态离子束混合两种模式。Plasma ion implantation(PII)is a new ion implantation technique for modifying the surface of materials. PII is classified into two categories-plasma source ion implantation(PSII)for modifying the surface of metallurgical materials and plasma immersion ion implantation (PHI) for modifying the surface of semiconductive materials. This article presents a new PII:A11 Orientation Ion Implantation (AOII). Transverse magnetic bottle electron cyclotron resonance (TMB-ECR) plasma source is applied for PII.The high negative potential of samples could be DC, AC or pulse type. The system is operated in two modles-ion implantation and dynamic ion beam mixing.

关 键 词：离子注入 电子迦旋共振 半导体集成电路 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学] TN453.05