中子辐照CZ硅单晶热处理后的电阻率变化  

Resistivity Change of Neutron Irradiation CZ Si Crystal

作　　者：张继荣[1] 薛佳伟[1] 佟丽英[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《半导体技术》2005年第3期48-49,共2页Semiconductor Technology

摘　　要：CZ 硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650￣700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值。CZ Si crystal radiated by neutron will produce radiating effect, it will make a certain offset of resistivity compare with the original data, but it can be recovered to the original data by hot treatment in N at 650￣700℃.

关 键 词：硅单晶 电阻率 辐照 缺陷 热处理 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]