掠入射、全反射及其在X射线荧光分析中的应用  

作　　者：刘亚雯[1] 

机构地区：[1]中国科学院高能物理研究所,北京100080

出　　处：《物理》1993年第10期614-618,共5页Physics

摘　　要：掠入射、全反射技术应用于化学的微量及超微量元素分析和表面分析，给X射线荧光分析技术带来了突破性的发展．目前，利用全反射X荧光分析技术对微量元素进行分析，其检测限已达到ｐg级，硅片表层杂质分析的检测限达到10９个原子／ｃｍ２．文章介绍了该技术的基本理论和特点、近年来国内外发展情况及应用的例子．

关 键 词：掠入射 全反射 X辐射 荧光分析 

分 类 号：O657.34[理学—分析化学]