刘亚雯

作品数：16被引量：30H指数：3
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供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
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发文领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《分析试验室》《光谱学与光谱分析》《物理》《科学通报》更多>>
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掠射技术与X射线荧光分析被引量：4
《光谱学与光谱分析》1998年第5期609-613,共5页刘亚雯 肖辉 
掠射技术引入Ｘ射线荧光分析成为一种新的材料及薄膜分析技术。运用此技术可以给出材料表面及薄膜的密度、厚度、界面粗糙度、成分的深度和剖面分布等各种信息。
关键词：掠射 X射线荧光分析 XRF IAD 
Si(Li)谱仪测量X射线荧光谱中CrK_β谱线化学位移的探索被引量：1
《光谱学与光谱分析》1998年第1期98-100,共3页彭良强 魏成连 刘亚雯 张天保 吴强 
科学院"八五"重点项目;核分析技术开放实验室资助
采用放射源２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４中ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。
关键词：化学位移 X射线荧光 CrKβ谱线 铬 
硅中掺杂元素砷的三维微分析被引量：3
《光谱学与光谱分析》1997年第4期96-99,共4页刘亚雯 范钦敏 吴应荣 魏成连 肖辉 
国家自科学基金
用同步辐射Ｘ光微区分析和全反射Ｘ射线荧光分析技术测定了硅中掺杂元素砷浓度的三维分布。其中深度剖面分布的测定结果与二次离子质谱进行了对照，两者的一致性是比较满意的。
关键词：X射线荧光分析 硅半导体 砷掺杂 三维分布 
同步辐射单色光全反射XRF实验被引量：3
《光谱学与光谱分析》1996年第4期75-79,共5页潘巨祥 吴应荣 肖延安 巢志瑜 洪蓉 刘亚雯 吴强 
本文介绍了在ＢＳＲＦ利用同步辐射单色光进行的全反射Ｘ－射线荧光实验，在单色能量为１０．１ｋｅＶ（高于Ｚｎ元素的Ｋ吸收边９．６６ｋｅＶ）下，测试了水标准样、生物标样（猪肝、桃叶）及其他试样（如人尿样等），得到了比较好（...
关键词：同步辐射 全反射 X-射线荧光分析 痕量分析 
同步辐射白光全反射XRF在痕量元素检测的初步应用研究被引量：2
《分析测试学报》1996年第1期6-11,共6页吴应荣 潘巨祥 肖延安 巢志瑜 洪蓉 刘亚雯 吴强 
叙述了同步辐射白光全反射Ｘ射线荧光分析的实验装置，给出了几种标准物质ＴＸＲＦ实验的检出限，并对实验结果进行了讨论。
关键词：同步辐射 全反射 X射线荧光分析 痕量分析 
用同步辐射XRF和基本参数法分析
《核技术》1995年第4期224-226,共3页吴强 刘亚雯 魏成连 
国家自然科学基金;中国科学院"八五"重点科研项目;中国科学院核分析技术开放实验室资助
利用同步辐射Ｘ荧光分析技术，采用基本参数法，定量分析了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的含量。程序用标样进行了检验，误差小于１２％．
关键词：单晶硅 杂质 锗 X射线荧光分析 基本参数法 
用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布被引量：1
《光谱学与光谱分析》1995年第2期99-102,共4页吴强 刘亚雯 魏成连 袁汉章 
国家自然科学基金;中国科学院"八五"重点项目;核分析技术开放实验室的资助
用同步辐射及Ｘ光管激发Ｘ射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的定性分布，为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。
关键词：杂质 半导体材料 单晶硅 XRF 锗 
用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As被引量：3
《核技术》1994年第8期476-480,共5页吴强 刘亚雯 魏成连 袁汉章 朱腾 闻莺 
国家自然科学基金;中国科学院核分析技术开放实验室资助
利用同步辐射Ｘ射线微区分析技术，研究了单晶硅中掺杂元素Ａｓ浓度的定量分布，并对结果进行了讨论。
关键词：同步辐射 X射线荧光 硅 杂质 
半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究被引量：7
《分析试验室》1994年第3期77-79,共3页闻莺 袁汉章 朱腾 刘亚雯 
国家自然科学基金
本文研究了同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对半导体材料硅单晶中掺杂元素Ｇｅ的微区分析。利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素Ｇｅ的二维分布图。实验结果表明，同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对样品无导电性要求，...
关键词：半导体 硅 掺杂元素 锗 微区分析 
掠入射、全反射及其在X射线荧光分析中的应用被引量：2
《物理》1993年第10期614-618,共5页刘亚雯 
掠入射、全反射技术应用于化学的微量及超微量元素分析和表面分析，给X射线荧光分析技术带来了突破性的发展．目前，利用全反射X荧光分析技术对微量元素进行分析，其检测限已达到ｐg级，硅片表层杂质分析的检测限达到10９个原子／ｃｍ...
关键词：掠入射 全反射 X辐射 荧光分析 
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