用同步辐射XRF和基本参数法分析  

Determination of impurity Ge in silicon crystal by SRXRF using fundamental parameter method

作　　者：吴强[1] 刘亚雯[1] 魏成连[1] 

机构地区：[1]中国科学院高能物理研究所

出　　处：《核技术》1995年第4期224-226,共3页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金;中国科学院"八五"重点科研项目;中国科学院核分析技术开放实验室资助

摘　　要：利用同步辐射Ｘ荧光分析技术，采用基本参数法，定量分析了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的含量。程序用标样进行了检验，误差小于１２％．The concentration of impurity Ge on the cross section of silicon crystal was determined by synchrotron radiation-excited X-ray fluorescence analysis using a fundamental parameter method. The accuracy of the program was ascertained by analyzing standard samples. The relative error is less than 12%.

关 键 词：单晶硅 杂质 锗 X射线荧光分析 基本参数法 

分 类 号：O474[理学—半导体物理] TN304.12[理学—物理]