用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布  

A STUDY ON QUALITATIVE DISTRIBUTION OF IMPURITY Ge IN SILICON CRYSTAL BY X-RAY MICRO-FLUORESCENCE ANALYSIS

作　　者：吴强[1] 刘亚雯[1] 魏成连[1] 袁汉章[1] 

机构地区：[1]中国科学院高能物理所,北京有色金属研究总院

出　　处：《光谱学与光谱分析》1995年第2期99-102,共4页Spectroscopy and Spectral Analysis

基　　金：国家自然科学基金;中国科学院"八五"重点项目;核分析技术开放实验室的资助

摘　　要：用同步辐射及Ｘ光管激发Ｘ射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的定性分布，为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。The qualitative distribution of impurity Ge on the cross section of silicon crystal was studied by synehrotron radiation and X-ray tube excited X-ray micro-fluorescence analysis in this work. A new method of determination of Ge in St is offered. The result is valuable for both studying crystal growing theory and producing semiconductor materials.

关 键 词：杂质 半导体材料 单晶硅 XRF 锗 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] O657.34[理学—分析化学]