用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As  

Determination of As impurity in silicon crystal by synchrotron radiation excited X-ray fluorescence micro-analysis

作　　者：吴强[1] 刘亚雯[1] 魏成连[1] 袁汉章[1] 朱腾[1] 闻莺[1] 

机构地区：[1]中国科学院高能物理研究所,北京有色金属研究总院

出　　处：《核技术》1994年第8期476-480,共5页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金;中国科学院核分析技术开放实验室资助

摘　　要：利用同步辐射Ｘ射线微区分析技术，研究了单晶硅中掺杂元素Ａｓ浓度的定量分布，并对结果进行了讨论。The quantitative distribution of As bounty on the cross section of single-crystalline silicon was studied by synchrotron radiation excited.X-ray fluorescence micro-analysis.The present results are useful both for the study of crystal growing theory and for the production of semiconductor materials.

关 键 词：同步辐射 X射线荧光 硅 杂质 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]