多孔硅荧光皮秒衰减测量与发光机理分析  

PICOSECOND LUMINESCENCE DECAY MEASUREMENT FOR POROUS Si AND ANALYSIS OF EMISSION MECHANISM

作　　者：章肖融[1] 鲍希茂[2] 阎锋[2] 干昌明[1] 蔡志岗[3] 黄旭光[3] 周世英 

机构地区：[1]南京大学声学研究所,南京210008 [2]南京大学物理系 [3]中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室,广州510275

出　　处：《物理学报》1993年第11期1874-1878,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：荧光光谱、荧光皮秒衰减和红外光谱测量表明,自然氧化多孔硅中有两种不同的发光机理并存,一种是由量子限制效应所决定的,另一种是由氧化引入的发光机理。Luminescence spectra, picosecond decay and Fourier transform infrared spectroscopy measurements show that there are two independent emission mechanisms in the spontaneously oxidized porous Si. One is determined by the quantum confinement effect , the other is produced by the oxidation.

关 键 词：多孔硅 发光 荧光 衰减 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]