10Gbps Transimpedance Amplifier for Optoelectronic Receivers Based on InGaP/GaAs HBTs  

基于InGaP/GaAsHBT的10Gbps跨阻放大器(英文)

作　　者：袁志鹏[1] 孙海锋[1] 刘新宇[1] 吴德馨[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第12期1591-1594,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 CB3 1190 2 );国家自然科学基金 (批准号 :60 14 0 0 1)资助项目~~

摘　　要：A transimpedance amplifier based on InGaP/GaAs HBTs,which is applicable for 10Gbps bit rate,is developed and realized.Compact chip layout guarantees good flat gain,linear phase,and small group delay time variation.Measured transimpedance gain is 40 dB·Ω and 3dB bandwidth is 10GHz.采用 In Ga P/ Ga As HBTs设计并实现了传输速率为 10 Gbps的跨阻放大器 .在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益 ,在第一级采用了 cascade结构 ,第二级采用了 cherry hooper结构以提高电路的带宽和稳定性 .测试结果表明 ,跨阻增益为 4 0 d B· Ω,3d B带宽为 10 GHz.

关 键 词：TIA HBT 10Gbps INGAP 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]