热丝CVD法制备金刚石膜  被引量:4

Diamond thin film deposited by HFCVD

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作  者:梁继然[1] 常明[1] 潘鹏[1] 

机构地区:[1]天津理工大学光电信息与电子工程系,天津300191

出  处:《天津理工大学学报》2005年第1期41-42,57,共3页Journal of Tianjin University of Technology

基  金:天津市自然科学基金资助项目(023602511).

摘  要:采用热灯丝CVD、分次连续沉积的办法在硅衬底上制备金刚石膜.用RAMAN光谱、X ray衍射、扫描电子显微镜(SEM)等多种技术对金刚石膜的形貌、成份、晶态等特性进行了分析,证实所获膜质量较好.In order to get a thick diamond film, at the same condition the same silicon is used to deposited. Raman spectrum, X-ray spectrum and SEM are used to study the film produced by HFCVD. The film has the well-defined facet.

关 键 词:金刚石膜 热丝化学气相沉积法 热灯丝CVD 扫描电子显微镜 RAMAN光谱 

分 类 号:TN304.18[电子电信—物理电子学]

 

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