碳纳米管制成的晶体管拥有高出25％的迁移率  

作　　者：杨英惠 

出　　处：《现代材料动态》2005年第2期8-8,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：美国马里兰大学的科学家制成了碳纳米管晶体管，其迁移率是硅晶体管的70倍。碳纳米管晶体管可以检出存贮器中的单个电子。碳纳米管的迁移率达100000cm^2／v．s，而锑化铟的迁移率是77000cm^2／v．s，硅的迁移率是1500cm^2／v．s。

关 键 词：迁移率 硅晶体管 碳纳米管晶体管 锑化铟 电子 管制 美国 存贮器 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TN386[电子电信—物理电子学]