等离子体浸没N^+注入豌豆种子的生长发育效应初报  

THE GROWTH EFFECT BY N^+ USING A PLASMA IMMERSION ION IMPLANTER OF PEA SEED IMPLANTED

作　　者：杜兰芳[1] 郁达[1] 卢祥云[1] 吴美萍[2] 

机构地区：[1]江苏省常熟高等专科学校,常熟215500 [2]中国纺织大学基础部,上海200051

出　　处：《山东农业大学学报（自然科学版）》2000年第4期369-372,共4页Journal of Shandong Agricultural University：Natural Science Edition

基　　金：中国科学院冶金所离子束开放研究实验室资助课题!(2 310 )

摘　　要：本文对等离子体浸没离子注入豌豆休眠种子后 ,其生长发育的遗传学效应进行了研究。结果表明 ,经处理后的种子的萌发率明显下降 ,出苗、生长发育均呈滞后现象 ,且降低了株高。 2 0min为半致死剂量。提出等离子体浸没离子注入可以作为诱变育种的一种经济。The genetic effect on plant growth by plasma immersion ion implanter after implantation on pea seed was studiedThe results of the seed treated not only showed the germination percentage decline but also the plant growth retardation,and the stem of a plant was lowThe semilethal dosage was 20 minutesAn economical and effectine method of plasma immersion ion implantation in mutagenic breeding is proposed

关 键 词：生长发育 种子 豌豆 初报 出苗 半致死剂量 株高 变方 遗传学效应 处理 

分 类 号：S512[农业科学—作物学] S643.3