MBE生长In_(0.52)Al_(0.48)AS/In_(0.53)Ga_(0.47)AS/InP材料  

In_(0.52)As/In_(0.53)ga_(0.47)As/Inp Heterostructures Growm by MBE

作　　者：彭正夫 张允强[1] 高翔[1] 孙娟[1] 吴鹏[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1993年第3期247-247,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.53,这比In_(x≤0.2)Ga_(1-x)As/GaAs赝配结构中In组分大得多,从而有大的电子饱和速度(2.6×10~7cm/s)和高的室温迁移率(～10000cm^2/V·s)。大的导带不连续性(0.5eV),使量子阱对电子的限制作用增强,且掺杂浓度高,因而二维电子气(2DEG)密度大。测量结果还表明,掺杂InAlAs中不存在类似AlGaAs中的DX中心。

关 键 词：半导体材料 外延生长 化合物半导体 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]