孙娟

作品数：11被引量：4H指数：1
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发文主题：分子束外延INGAAS/GAASHFETGAASGAAS衬底更多>>
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发文期刊：《半导体杂志》《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
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(311)A GaAs衬底掺Si GaAs/AlGaAs p沟HFET结构材料特性
《半导体技术》2008年第S1期49-51,共3页孙娟 谢自力 邱凯 尹志军 
利用MBE技术在(311)A GaAs衬底上生长了Si掺杂GaAs/Al GaAs p沟道HFET结构材料。通过控制V/Ⅲ束流和其他生长参数,优化了材料的生长条件。通过Si掺杂获得p型GaAs和Al GaAs材料,研制生长了微波毫米波器件应用的HFET器件结构材料。Hall测...
关键词：分子束外延 硅掺杂 P沟道 异质结构效应晶体管 
NDR系列声表面波谐振器批生产技术研究
《电子工程师》1998年第4期22-24,共3页陈培棣 蒋海涛 尤民 孙娟 夏兆锋 
声表面波谐振器作为频率控制元件，要求谐振频率准确，批量生产技术难度较大。本文对批生产的要素，关键工艺技术和工艺过程质量控制等方面进行了讨论。已批量生产的NOR系列声表面波谐振器三大系列百余品种，性能均达到国外同类器件水...
关键词：声表面波 声表面波器件 谐振器 NDR系列 
InGaAs／GaAs异质结构材料及器件应用
《固体电子学研究与进展》1994年第3期205-208,共4页彭正夫 张允强 龚朝阳 高翔 孙娟 吴鹏 
概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长、输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益...
关键词：微波器件 异质结构 INGAAS/GAAS 
新颖的微波器件材料──InGaAs／GaAs异质结构
《半导体杂志》1994年第1期52-55,共4页彭正夫 张允 龚朝阳 高翔 孙娟 吴鹏 
新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定．由...
关键词：微波器件 半导体材料 
应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的电镜和光谱研究
《固体电子学研究与进展》1993年第3期197-200,共4页高翔 张允强 孙娟 彭正夫 蒋树声 章灵军 
用光调制反射谱和透射电镜技术研究分子束外延生长的应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs,并讨论了实验结果。
关键词：分子束外延 INGAAS/GAAS 电镜 光谱 
MBE生长In_(0.52)Al_(0.48)AS/In_(0.53)Ga_(0.47)AS/InP材料
《固体电子学研究与进展》1993年第3期247-247,共1页彭正夫 张允强 高翔 孙娟 吴鹏 
人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.53,这比In_(x≤0.2)Ga_(1-x)As/GaAs赝配结构中In组分大得多,从而有大的电子饱和速度(2.6×10~7cm/s)和...
关键词：半导体材料 外延生长 化合物半导体 
分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究
《固体电子学研究与进展》1993年第1期30-34,共5页张允强 高翔 彭正夫 孙娟 蒋树声 章灵军 
报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。
关键词：分子束外延 超晶格 AIGaAs/GaAs 
调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》1992年第4期332-335,共4页彭正夫 张允强 高翔 孙娟 朱顺才 
报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪...
关键词：分子束外延 调制掺杂 量子阱 
InGaAs/GaAs HFET研制取得初步结果
《固体电子学研究与进展》1992年第4期381-381,共1页彭正夫 张允强 龚朝阳 高翔 孙娟 
众所周知,GaAs MESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定。由于InGaAs的电子饱和速度比GaAs的大,用InGaAs替代GaAs作沟道就可以改善器件的微波性能。为此进行了InGaAs/GaAs HFET的研究。HFET的结构与n^+-AlGaAs/InGaA...
关键词：场效应器件 MESFET 研制 
分子束外延低温生长GaAs缓冲层
《固体电子学研究与进展》1992年第4期379-380,共2页张允强 彭正夫 高翔 曹苏榕 孙娟 
在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低...
关键词：分子束外延 生长 砷化镓 缓冲层 
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