InGaAs/GaAs HFET研制取得初步结果  

作　　者：彭正夫 张允强[1] 龚朝阳 高翔[1] 孙娟[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1992年第4期381-381,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：众所周知,GaAs MESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定。由于InGaAs的电子饱和速度比GaAs的大,用InGaAs替代GaAs作沟道就可以改善器件的微波性能。为此进行了InGaAs/GaAs HFET的研究。HFET的结构与n^+-AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT(PM-HEMT)结构比较有下述几个特点:①由于不含Al组分,就不存在所谓DX中心深能级的问题;②提供载流子的n-GaAs层的掺杂浓度比n^+-AlGaAs层的低,故器件的击穿电压高,这很适合制作功率器件;③器件工艺与通常的GaAs MESFET相同,器件的可靠性问题容易解决。

关 键 词：场效应器件 MESFET 研制 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]